EUV是指波長為13.5nm的遠紫外光(Extreme Ultra-Violet)。也稱為軟X線。利用遠紫外光的EUV曝光技術作為可使半導體進一步微細化的新一代曝光技術而備受期待。

　　以前的半導體曝光技術是通過縮短所用光線的波長來提高曝光時的分辨率，從而滿足微細化需求。不過，近10年來，曝光波長一直維持在193nm沒有改變。其原因是，業界導入了在鏡頭與晶圓間充滿水的液浸曝光技術，以及反復曝光的二次圖形曝光技術等，替代了縮短波長的方法來提高分辨率。

　　大幅縮短曝光波長

　　EUV曝光將曝光波長縮短至13.5nm，由此提高曝光時的分辨率

　　然而，這些技術也越來越接近極限。最新的液浸曝光技術的分辨率為38nm左右，即使使用二次圖形曝光技術，19nm已是極限。繼續提高分辨率的話，就需要將曝光次數增加到3次以上，這會使成本升高。而使用波長僅為13.5nm的EUV曝光技術時，一次曝光便可輕松形成14nm左右的圖形。

　　不過，目前EUV曝光技術的開發變得越來越慢。其主要原因在于，EUV光源的輸出功率目前僅為10～20W，還遠遠達不到量產所需要的250W。這樣下去的話，會給半導體的微細化發展速度造成巨大影響。因此，從事EUV曝光裝置業務的阿斯麥公司(ASML)于2012年10月宣布收購全球最大的EUV光源廠商西盟(Cymer)，以加快開發速度。阿斯麥的目標是2015年使EUV光源的輸出功率達到量產所需要的250W。

　　遠紫外光光刻(EUV) 可能被看作是最有前景的技術之一。盡管目前仍有多項技術正等待去克服解決。

　　半導體業正采用兩次圖形曝光技術，而設想逐步過渡到EUV技術，因此直到2012年時，先進技術為22nm半間距時仍會采用兩次圖形曝光技術為主流。在被訪者中有60.4%的使用者認為兩次圖形曝光技術會使用在柵層光刻中及有51.1%認為用在接觸層光刻中。但到2014-2015年時許多被訪者認為達到 16nm時代，有43%的被訪者認為可能應用在柵層制造中及47.7%應用在接觸層光刻中。到2016-2018時代，工業界許多人相信進入11nm，那時有60.6%的被訪者認為可能應用在柵層光刻及63.9%應用在接觸層光刻中。