首先幫大家介紹這次討論異常火爆的3D傳感技術：3D傳感技術是面部識別的核心，3D激光掃描（3D傳感）背后的想法就是創建一種非接觸、非破壞性技術來數字化捕捉物理對象的形狀。在面部識別中，它將創建一個定義人臉外觀的數字矩陣。舉個例子，它可以使你的手機更精確地記錄你的下巴，這要比從照片上識別精確得多。而且皮膚的紋理與胡子的長短也可以被捕獲到。當然也包括那些組成額頭、臉頰以及其它臉部部分的獨特形狀。
至于為什么要用VCSEL激光器？3D攝像頭在傳統攝像頭基礎上引入基于飛行時間測距ToF（Time of Flight）或SL（Structural Light）結構光的3D傳感技術，目前這兩種主流3D傳感技術均為主動感知，因此3D攝像頭產業鏈與傳統攝像頭產業鏈相比主要新增加“紅外光源+光學組件+紅外傳感器”等部分，其中最關鍵的部分就是紅外光源，主動感知的3D攝像頭技術通常使用紅外光來檢測目標，早期3D傳感系統一般都使用LED作為紅外光源，但是隨著VCSEL技術的成熟，性價比已經接近紅外LED，除此之外，在技術方面，由于LED不具有諧振腔，導致光束更加發散，在耦合性方面很差，而VCSEL在精確度、小型化、低功耗、可靠性全方面占優的情況下，現在常見的3D攝像頭系統一般都采用VCSEL作為紅外光源，因此最近被談論的最新技術就是VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）。
你不可不知關于VCSEL的幾個基本原理
在介紹VCSEL技術之前，這幾個基本原理與名詞你不可不知，知道了這些基本知識，關于VCSEL的技術原理就非常簡單了。
光的反射折射與折射率：
我們小時候都有做過光的反射與折射實驗，尤其是筷子在水里面感覺好像被折了一段一樣原因就是光的折射，折射率越大，偏折越厲害，原因是光在介質的速度變慢了，介質的折射率大小，與光在介質中的速度成反比，光在介質中的速度(v)愈大，則介質的折射率(n)愈小；光在介質中的速度(v)愈小，則介質的折射率(n)愈大。實驗證實光在介質中的速度(v)依次為：v(氣體)＞v(液體)＞v(單晶固體)＞v(非晶固體)。所以光在介質的折射率(n)依次為：n(氣體)＜n(液體)＜n(單晶固體)＜n(非晶固體)。
DBR（Distributed Bragg Reflector）分布布拉格反光鏡：
沿著光前進的方向上設計出特別的不同折射率材料交替的膜層，膜層厚度是該材料四分之一發光波長厚度（λ/4n, λ是純光波長，n是該材料的折射率），形成折射率大(n大)、折射率小(n小)、折射率大(n大)、折射率小(n小)…的周期性結構，如圖1(a)所示，稱為「DBR光柵(Grating)」。光波在光柵中前進的時候，遇到折射率大的介質時，光的速度變慢；遇到折射率小的介質時，光的速度變快，光波在不同折射率之間的接口都會發生反射與折射，科學家經過復雜的光學計算發現，DBR光柵可以使「不純的入射光(波長范圍較大)」變成「較純的反射光或穿透光(波長范圍較小)」，如圖1(b)所示，換句話說，DBR光柵的主要功能就是「使光變純(波長范圍變小)與控制光的反射與穿透比率」，激光二極管(LD)的光很純，發光二極管(LED)的光不純，顯然激光二極管內一定有DBR光柵的結構，當然LED為了增加亮度，也有在研磨拋光藍寶石背面之后鍍上DBR反射層，可以增加2~3%的亮度。
圖1 分布布拉格反射鏡DRR原理示意圖
激光的諧振效應(Resonance)
激光的發光區就是它的「諧振腔(Cavity)」，諧振腔其實可以使用一對鏡子組成，如圖2所示，使光束在左右兩片鏡子之間來回反射，不停地通過發光區吸收光能，最后產生諧振效應，使光的能量放大，一般激光二極管的兩片鏡子就是用DBR鍍膜來控制諧振腔的諧振效應。
激光二極管的電激發光(EL：Electroluminescence)：
我們以「砷化鎵激光二極管(GaAs laser diode)」為例，先在砷化鎵激光二極管芯片(大約只有一粒砂子的大小)上下各蒸鍍一層金屬電極，對著芯片施加電壓，當芯片吸收電能產生「能量激發(Pumping)」，則會發出某一種波長(顏色)的光。發射出來的光經由左右兩個反射鏡來回反射產生「諧振放大(Resonance)」，由于右方的反射鏡設計可以穿透一部分的光，所以高能量的激光光束就會由右方穿透射出，如圖2所示。
圖2 激光二級管發射激光的原理示意圖
VCSEL工藝到底難嗎？
除了上面的基本知識，這些與LED技術相似的工藝術語你也必須知道，我在此不再多解釋，他們是MOCVD（有機氣相外延沉積）與MBE（分子束外延）外延技術，光刻技術決定芯片圖形與尺寸，ICP-RIE（電感耦合反應離子刻蝕）技術刻蝕出發光平臺（Mesa），氧化工藝讓諧振腔定義出最佳的VCSEL光電特性，鈍化絕緣工藝讓暴露的半導體材料不受空氣與水汽影響可靠度，最后研磨與切割變成一顆顆芯片，再進行測試與出貨給封裝廠，由于結構上跟紅黃LED芯片類似，是上下電極垂直結構，所以一般是先測試芯片特性再進行切割與最后分選。圖4就是VCSEL的芯片與封裝示意圖，做LED的人有沒有似曾相識的感覺呢？
圖3 VCSEL的芯片與封裝示意圖，目前主流的VCSEL是To-can封裝與陣列封裝，尤其在高功率傳感系統（車用市場）里面需要用到倒裝flip chip的陣列封裝
VCSEL的結構與關鍵工藝介紹：
VCSEL有幾個關鍵工藝，這幾個關鍵工藝決定了器件的特性與可靠性。
關鍵技術一：VCSEL外延
圖4是VCSEL的結構示意圖，以銦鎵砷InGaAs井（well）鋁鎵砷AlGaAs壘（barrier）的多量子阱（MQW）發光層是最合適的，跟LED用In來調變波長一樣，3D傳感技術使用的940納米波長VCSEL的銦In組分大約是20%，當銦In組分是零的時候，外延工藝比較簡單，所以最成熟的VCSEL激光器是850納米波長，普遍使用于光通信的末端主動元件。
圖4 VCSEL的外延與芯片結構示意圖
發光層上、下兩邊分別由四分之一發光波長厚度的高、低折射率交替的外延層形成p-DBR與n-DBR，一般要形成高反射率有兩個條件，第一是高低折射率材料對數夠多，第二是高低折射率材料的折射率差別越大，出射光方向可以是頂部或襯底，這主要取決于襯底材料對所發出的激光是否透明，例如940納米激光由于砷化鎵襯底不吸收940納米的光，所以設計成襯底面發光，850納米設計成正面發光，一般不發射光的一面的反射率在99.9%以上，發射光一面的反射率為99%，目前的AlGaAs鋁鎵砷結構VCSEL大部分是用高鋁（90%）的Al0.9GaAs層與低鋁（10%）Al0.1GaAs層交替的DBR，反射面需要30對以上的DBR（一般是30~35對才能到達99.9%反射率），出光面至少要24~25對DBR（99%反射率），由于后續需要氧化工藝來縮小諧振腔體積與出光面積，所以在接近發光層的p-DBR膜層的高鋁層需要使用全鋁的砷化鋁AlAs材料，這樣后面的氧化工藝可以比較快完成。
圖5 外延與氧化工藝是VCSEL良率與光電特性好壞的關鍵
關鍵技術二：氧化工藝
這個技術是LED完全沒有的工藝，也是LED紅光發明人奧隆尼亞克（Nick Holonyak Jr.）發明的技術，如圖5所示，主要利用氧化工藝縮小諧振腔體積與發光面積，但是過去在做氧化工藝的時候，很難控制氧化的面積，只能先用樣品做氧化工藝，算出氧化速率，利用樣品的氧化速率推算同一批VCSEL外延片的氧化工藝時間，這樣的生產非常不穩定，良率與一致性都很難控制！精確控制氧化速度讓每個VCSEL芯片的諧振腔體積可以有良好的一致性，沒有過氧化或少氧化的問題，這樣在做陣列VCSEL模組的時候才會有精確的光電特性。即時監控氧化面積是最好的方法，如圖6所示，法國的AET Technology公司設計了一臺可以利用砷化鋁（AlAs）氧化成氧化鋁（AlOx）之后材料折射率改變的反射光譜變化精確監控氧化面積，這種精密控制氧化速率的設備，可以省去過去工程師用試錯修正來調試參數，對大量穩定生產VCSEL芯片提供了最好的工具。
圖6 法國AET科技公司推出的VCSEL即時監控的氧化制程設備，讓VCSEL量產更穩定
關鍵技術三：保護絕緣工藝
跟LED一樣，最后只能保留焊線電極上沒有絕緣保護層在上面，由于激光二極管的功率密度更大，所以VCSEL更需要這樣的保護層，更重要的是為了不讓氧化工藝的AlAs層繼續向內氧化影響諧振腔體積，造成激光特性突變，保護層的膜層質量非常重要，尤其是側面覆蓋的致密性更為重要，過去都是用等離子加強氣相化學沉積機PECVD來鍍這層膜，但是為了要保持致密性需要較厚的膜層，但是膜層太厚會造成應力過大影響器件可靠度！于是原子層沉積ALD技術開始取代PECVD成為最好的鍍膜工藝，如圖7所示，ALD可以沉積跟VCSEL氧化層特性接近的氧化鋁（Al2O3）薄膜，而且側面鍍膜均勻，致密性高，最重要的是厚度很薄就可以完全絕緣保護芯片，除了VCSEL工藝以外，LED的倒裝芯片flip chip與IC的Fin-FET工藝都需要這樣的膜層，跟氧化技術一樣，國內還無法提供這樣的設備，目前芬蘭的Picosun派克森公司與Apply Material美國應用材料公司提供這樣的設備與工藝。
圖7 芬蘭Picosun派克森公司推出的ALD原子層沉積技術的設備，可以讓VCSEL的器件更穩定
